3月31日，2026年度中国 IC 设计成就奖正式公布，晶存科技 LPDDR5X 凭借在速率、功耗控制、系统兼容性与大规模量产稳定性方面的综合表现，获得“热门 IC 产品奖：年度存储器”。
中国 IC 设计成就奖由全球电子技术权威媒体集团 AspenCore 主办，是国内半导体产业极具影响力的标杆奖项，旨在表彰年度技术创新与市场表现卓越的企业及产品。本届奖项由 AspenCore 全球用户社群与资深分析师团队联合评选，兼具行业公信力与专业权威性。
此次获奖，是晶存科技 LPDDR5X 继第二十届“中国芯”优秀市场表现产品奖后，再度斩获重磅行业荣誉。
LPDDR5X
围绕端侧与边缘侧 AI 的存储系统瓶颈展开工程优化
随着大模型推理持续向智能手机、AI PC、可穿戴设备以及边缘计算节点加速下沉，AI 计算正从云侧进一步延展至端侧与边缘侧，系统对内存带宽、功耗控制、响应时延与运行稳定性提出了更高要求。
模型参数与中间激活数据激增，使得内存系统在以下几类任务中成为主要瓶颈：
大核算力 SoC 的算力无法充分释放（memory-bound）
推理过程频繁随机访问导致瞬时峰值功耗升高
模型切片、AI 多任务调度增加了对内存时延稳定性的要求
移动终端与边缘设备普遍面临散热空间受限，对能效比提出更苛刻要求
基于以上需求，晶存科技在 LPDDR5X 的性能设计中聚焦以下系统级指标：
1. 高速率 I/O：产品支持更高速的双倍数据速率模式，可满足端侧推理与边缘侧对多通道高带宽的要求，使得大核 NPU/GPU 的算力利用率进一步提升，降低 memory stall 现象。
2. 深度功耗优化：通过低功耗状态切换优化、细粒度时钟门控策略与内部电源管理调整，使得在真实 AI 中断访问模式下，功耗表现优于同类规格器件。这对手机与轻薄 AI PC 及持续运行的边缘设备的热管理与系统稳定性尤为关键。
3. 兼容性与信号完整性增强：针对高速速率带来的信号完整性挑战，产品在 DQ 校准、读写训练及端侧与边缘侧平台匹配方面进行了工程级优化，并在多家 SoC 平台上完成联合调优，提高平台迁移效率。
4. 量产一致性与高温环境稳定性：面向高端终端、商显及边缘侧持续运行场景需求，产品在高温可靠性、时序裕量与 PVT（工艺、电压、温度）一致性方面进行了系统验证，为真实应用场景提供更可预测的性能表现。
应用于多类端侧与边缘侧场景
适配、调优与量产验证持续推进
晶存科技 LPDDR5X 已在以下场景中完成适配、调优与量产验证：
AI 智能手机：负载包括大模型推理、视频增强、图像生成等。
AI PC：运行端侧推理框架，对持续带宽与低时延提出高要求。
商显与大屏交互：长期高占空比，强调可靠性与温度裕量。
边缘计算与专业 AI 设备：包括边缘侧 AI 算力卡、AI 工作站、本地化推理设备及 Agent 类边缘智能节点等形态，面向复杂任务协同、持续计算负载与实时数据处理需求，对数据吞吐、响应效率、功耗控制及长时间稳定运行能力提出更高要求。
服务机器人与工业终端：对稳定性、低功耗和环境适应性要求更高。
在多平台联合测试中，LPDDR5X 在 AI 关键场景，包括多流推理、摄像头 pipeline、LLM 轻量推理等任务中，表现出更高的带宽利用率与更低的典型访问功耗。
存储从“容量驱动”
向“系统协同驱动”转变
AI 手机、AI PC、机器人以及边缘计算节点、轻量化本地推理设备的持续发展正推动存储器的行业演进：从以往的容量扩张，转向带宽、时延、功耗、系统协同优化的整体路线。
在该趋势下，LPDDR5X 正逐步成为高性能端侧与边缘侧设备的重要内存架构之一。
本次获奖也反映出行业对这一趋势的认可——即在端侧与边缘侧 AI 加速发展的背景下，存储产品的评价维度正从单一规格参数转向整体系统贡献度，包括：
在真实 AI 任务中的能效
对 SoC 端口架构的协同能力
对散热与续航的配合程度
在复杂访问模式下的时延稳定性
面向大规模量产的一致性表现
这些指标与工程师的实际体验高度相关，因此在评选中具有更高权重。
持续面向端侧与边缘侧 AI
推进高性能存储技术演进
从“中国芯”优秀市场表现产品到“年度存储器”，连续获得行业奖项，是对晶存科技 LPDDR5X 阶段性成果的肯定，更是公司持续推进技术创新与产品升级的新起点。
未来，晶存科技将继续围绕高性能存储技术持续深化研发，聚焦 AI 时代终端与边缘侧不断升级的应用需求，持续推动产品平台迭代与技术能力演进，不断提升存储解决方案在速度、能效、可靠性与集成度等维度的综合表现，为更多智能终端、AI 设备及新兴应用场景提供坚实的存储支撑，持续夯实智能时代的数据底座。
